全球率先研發(fā)12層堆疊的HBM3內(nèi)存單顆容量24GB
大家最早接觸HBM高帶寬內(nèi)存，應(yīng)該是AMD Fury系列顯卡，但其實(shí)這種內(nèi)存放在游戲顯卡上大材小用，更適合它的是高性能計(jì)算CPU與GPU，比如NVIDIA A100/H100、AMD Instinct MI200/MI300、Intel四代至強(qiáng)等等。
作為HBM的開拓者，SK海力士宣布，已經(jīng)全球率先研發(fā)出12層堆疊的HBM3內(nèi)存，單顆容量就能達(dá)到24GB。
SK海力士在新品上使用了名為“高級批量回流模制底部填充”(MR-MUF)的技術(shù)，將多顆芯片放置在下層基板上，通過回流焊一次性粘合，同時使用用模塑料填充芯片之間或芯片與基板之間的空隙。
同時還有經(jīng)典的TSV硅穿孔技術(shù)，將單顆芯片的厚度減少了40%，從而在容量增加50%的情況下，保持整體厚度不變。
SK海力士已經(jīng)向客戶提供24GB HBM3的樣品，但量產(chǎn)和供貨時間未公布。
NVIDIA H100、AMD Instinct MI250X加速卡分別用了六顆16GB HBM3、八顆16GB HBM2e，物理總?cè)萘恳粋€96GB、一個128GB。
如果換成新的單顆24GB，一張卡上就能分別有144GB、192GB之多。
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